據外媒報道，英特爾副總裁、負責技術研發的 Ann Kelleher 在近日的一場發布會上表示：“我們已完全走上了正軌”。Kelleher 透露，目前英特爾正在量產 7nm 制程，已準備好開始生產 4nm 制程芯片，計劃明年下半年轉向 3nm 制程芯片。
按照英特爾的規劃，英特爾 3 nm 工藝將在 2023 年 H2 量產，再往后就是 2024 上半年的 20A 工藝，2024 年的 18A 工藝，等效 2nm、1.8nm 工藝，還會引入 RibbonFET 晶體管及 PowerVias 背面供電兩種黑科技。
此前，英特爾 CEO 帕特?基辛格曾表示，人們長期以來一直懷疑摩爾定律的“壽命”，但“摩爾定律還將繼續向前發展?！?a target="_blank">摩爾定律很有效，至少在未來的十年里依然有效”。
據其介紹，英特爾已經制定了在 4 年內交付 5 個節點的大膽計劃。Intel 18A 制程 PDK 0.3 版本現在已經被早期設計客戶采用，測試芯片正在設計中，將于年底流片。憑借 RibbonFET、PowerVia 兩大突破性技術， High-NA 光刻機等先進技術，英特爾希望到 2030 年在一個芯片封裝上可以有 1 萬億個晶體管。
“英特爾和英特爾代工服務將開創系統級代工的時代”，這一模式由四個主要部分組成：晶圓制造、封裝、軟件和開放的芯粒生態系統?！霸洷徽J為不可能實現的創新已經為芯片制造帶來了全新可能”，帕特·基辛格表示。
在英特爾之外，包括三星、臺積電在內的多家芯片廠商都在今年早些時候宣布轉向 3nm 研發。
今年 6 月，三星宣布全球率先量產 3nm，在“2022 年半導體 EUV 全球生態系統會議”上，三星電子 Foundry 代工部門高級研究員樸炳宰表示，到 2026 年，全球 3 nm 工藝節點代工市場將達到 242 億美元規模，較今年的 12 億美元增長將超 20 倍。
臺積電量產 3nm 經過一波三折后，年底終于逐漸步入正軌。根據臺積電之前的消息，3nm 節點上至少有 5 代衍生版工藝，分別是 N3、N3P、N3S、N3X 及 N3E，其中 N3 工藝是最早量產的。對比 N5 工藝，N3 功耗可降低約 25-30％，性能可提升 10-15％，晶體管密度提升約 70％。
