集微網(wǎng)消息，12月30日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目，在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設(shè)。該項目總投資240億美元，主要生產(chǎn)存儲器芯片，總占地面積1968畝。
國家工信部副部長劉利華、工信部電子信息司司長刁石京、國家發(fā)改委高技術(shù)產(chǎn)業(yè)司副司長孫偉、國家科技部重大專項辦副巡視員邱鋼、國家開發(fā)銀行評審二局副局長李力鋒，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司董事長王占甫、總經(jīng)理丁文武、監(jiān)事長王彥欣，華芯管理公司常務(wù)副總裁高松濤等，與湖北省副省長許克振，武漢市委常委、常務(wù)副市長龍正才，武漢市委常委、東湖高新區(qū)黨工委書記胡立山，武漢市副市長邵為民，東湖高新區(qū)管委會主任張文彤等領(lǐng)導(dǎo)蒞臨項目現(xiàn)場調(diào)研。紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國向到場領(lǐng)導(dǎo)介紹項目情況。
趙偉國董事長強調(diào)，國家存儲器基地正式動工建設(shè)不僅僅是一個項目的開工，更具有特別的意義，一是存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦出海試航。二是存儲器基地項目的運作，是一種新模式的成功探索，這種新模式就是“國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作”的三合一。三是存儲器基地項目投資強度大，是中國集成電路行業(yè)單體投資最大的項目，也是湖北省最大的投資項目，也是中國最大的單體投資項目。
工業(yè)和信息化部和發(fā)展改革委相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)表示，國家存儲器基地項目的實施必將進一步帶動湖北省、武漢市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動中部地區(qū)崛起和經(jīng)濟專型升級，促進我國集成電路產(chǎn)業(yè)向更高水平發(fā)展。將會同有關(guān)部門和地方，加強規(guī)劃引導(dǎo)，大力推動、重點支持國家存儲器基地項目建設(shè)，著力促進產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。
此次正式開工建設(shè)的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐社會經(jīng)濟發(fā)展和保障國家信息安全、產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界各國和地區(qū)綜合競爭力的集中體現(xiàn)。存儲器最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和先進制造工藝，據(jù)統(tǒng)計，存儲芯片在整個芯片市場占比超過25%，未來將達到45%左右。
據(jù)悉，位于武漢的國家存儲器基地項目將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體。項目建成后，以此為龍頭將帶動設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，將為中國打破主流存儲器領(lǐng)域空白，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟跨越發(fā)展提供重要支撐。
目前，湖北省和武漢市正在舉全省、全市之力，聚全球資源，將這一項目打造成湖北省調(diào)結(jié)構(gòu)、實現(xiàn)轉(zhuǎn)型跨越發(fā)展的千億高科技產(chǎn)業(yè)項目。此前，湖北省已擁有芯片設(shè)計、制造、封裝材料等相關(guān)企業(yè) 60 多家，武漢則是國家重點支持的集成電路四大產(chǎn)業(yè)聚區(qū)之一。作為項目承載地的武漢東湖高新區(qū)，正在加快引進芯片設(shè)計、封裝測試等環(huán)節(jié)的重點企業(yè)，積極打造集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，并正在組建武漢國際微電子學(xué)院、集成電路工業(yè)研究院、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。
國家存儲器基地項目總投資240億美金，主要生產(chǎn)存儲器芯片，總占地面積1968畝，其中主廠區(qū)總用地面積1717畝，相關(guān)配套用地251畝。主廠區(qū)范圍內(nèi)的凈用地面積為968,085m2，將要建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，總建筑面積達1,978,592 m2。項目第一期在2018年建成投產(chǎn)，整個項目計劃在2020年完成，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將達到100億美元以上。
集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐社會經(jīng)濟發(fā)展和保障國家信息安全、產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界各國和地區(qū)綜合競爭力的集中體現(xiàn)。存儲器最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和先進制造工藝，據(jù)統(tǒng)計，存儲芯片已占到整個芯片市場超過25%，未來將達到45%左右，存儲芯片是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)之一。今天信息無處不在，網(wǎng)絡(luò)無處不在，芯片無處不在。實施存儲器項目是國家為實現(xiàn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展的重大戰(zhàn)略布局。長江存儲公司將在國家集成電路產(chǎn)業(yè)推進政策引導(dǎo)下，以“自主創(chuàng)新加國際合作”的“雙輪驅(qū)動”，加速推進研發(fā)和制造進程，早日實現(xiàn)達產(chǎn)目標來滿足中國本土市場和國家戰(zhàn)略以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。
然而，我們也非常清楚，現(xiàn)在芯片制造已經(jīng)進入納米量級，它和航天科技一樣是非常尖端的科技，同時資本密集，需要巨額投資，做起來難度很大。
我和長江存儲、紫光集團的同仁們，深感肩上的責任重大！
但是我們也很有信心，信心來自于三個縱深：
第一個縱深，是龐大的本土市場縱深，中國集成電路市場份額已占據(jù)世界集成電路市場份額60%以上。
第二個縱深，是巨大的本土人才縱深，中國每年畢業(yè)1000萬的大學(xué)生、研究生、博士生，其中大約500萬是理工科相關(guān)專業(yè)，100萬是信息電子相關(guān)專業(yè)，10萬人是集成電路相關(guān)專業(yè)，盡管今天的人才的層次還不足夠高，但是基數(shù)比較大，經(jīng)過幾年的發(fā)展，加上國際高端人才的引進，我們能逐漸建立起我們所需要的人才梯隊。
第三個縱深，是強大的中國資本縱深，如今在全世界，只有中國資本還熱衷于投資半導(dǎo)體，中國也是全世界資本最充裕的國家之一。
