文章大綱

• 存儲器芯片行業市場綜述

  ?定義及分類

  ?技術介紹

• 存儲器芯片行業驅動因素

  ?國產替代大環境助推

• 存儲器芯片行業風險因素

• 存儲器芯片行業相關政策

• 存儲器芯片行業發展趨勢

  ?迎來黃金發展期

  ?IP創新與自主制造

• 存儲器芯片行業競爭格局

• 存儲器芯片行業投資企業推薦

中國存儲器芯片行業

定義及分類

DRAM、NOR Flash、NAND Flash三類存儲器之間的應用已產生隔離，難以相互代替，市場自成體系。

存儲器芯片定義及分類

存儲器芯片是半導體存儲產品的核心，是電子系統中負責數據存儲的核心硬件單元，其存儲量與讀取速度直接影響電子設備性能。半導體存儲按照掉電后是否保存數據，分為易失性存儲和非易失性存儲。易失性存儲主要以隨機存取器RAM為主，使用量最大的為動態隨機存儲DRAM。非易失性存儲中最常見的為NOR Flash與NAND Flash，其中NOR Flash因其讀取速度快且可擦除寫入，被作為代碼存儲的主要器件，NAND Flash在高容量時具有成本優勢，且讀寫速度比傳統的光學、磁性存儲器快，是現在主流的大容量數據存儲器件。

中國存儲器芯片行業制程分析

當前中國NOR Flash芯片技術基本成熟，但在DRAM、NAND Flash芯片領域，仍與國際領先水平有著一代以上的技術差異。

中國存儲器芯片行業市場現狀

存儲器芯片傳統應用市場規模穩定，近年來，隨著技術的發展，不斷有新下游應用拉動行業發展。

新應用市場

數據存儲需求

汽車電子系統開始支持GUI、語音識別、高級數據處理功能產生大量數據存儲需求。

口令存儲需求

隨著汽車智能化發展，搭載更多即時啟動應用，而及時啟動最佳解決方案為NOR Flash。

產業鏈

存儲芯片產業是國家戰略產業，直接關系到電子信息產業的發展，中國正逐漸在全產業鏈各個環節中實現對進口產品的替代。

存儲器芯片產業鏈介紹

中國半導體產業鏈由上游為半導體支撐產業，中游為存儲芯片行業，下游市場參與者由眾多電子整機廠組成。存儲器芯片是集成電路價值量最大的產品之一，存儲芯片產業是國家戰略產業，直接關系到電子信息產業的發展，中國正逐漸在全產業鏈各個環節中實現對進口產品的替代。

產業鏈上游分析

大基金二期注冊成立，以長江存儲為代表的存儲器芯片廠商是重點投資對象，其產業鏈上游的半導體材料與設備是投資熱點。

存儲器芯片行業產業鏈上游分析

大基金二期重點布局半導體產業鏈上游，半導體材料與半導體設備行業有望在未來實現進口替代。2016年成立的大基金一期接近尾聲，其重點投資領域為集成電路制造，重點解決中國晶圓代工產能不足、技術落后的問題。2019年10月，大基金二期注冊成立，以長江存儲為代表的存儲器芯片廠商是重點投資對象，其產業鏈上游的半導體材料與設備是基金投資的熱點之一。

半導體材料

技術壟斷：美國、日本、韓國、德國等國家占據主導地位

中國半導體材料的市場規模占全球比重逐年上漲

整體表現為企業數量少、市場規模小、技術水平低以及產業布局分散的特征

半導體設備

總體國產化率較低，屬于產業鏈薄弱環節，國產替代空間巨大

中國晶圓廠建設與擴產招標過程中，半導體設備國產化率從逐漸提高

存儲器芯片發展擴產為中國半導體設備廠商提供了更多的發展機遇，中國將進入半導體設備國產化窗口期

產業鏈中游分析

全球范圍內，美、韓兩國存儲器芯片廠商居頭部，技術領先，議價能力強，近年來中方企業技術逐漸實現趕超，預計未來將實現國產替代。

設計環節（占成本30%）

1、中國IC設計行業缺乏自主設計流程的能力，還不具備COT設計能力，主要依靠工藝技術的進步和EDA工具的進步。

2、除兆易創新外，中國存儲器芯片廠商多為IDM模式發展。

制造環節（占成本40%）

1、當前在高端制程，中國廠商難以實現國產替代。

2、3D NAND Flash領域：三星86層技術成熟，當前長江存儲64層產品已小范圍量產，目前在調試設備跨86層。

3、實現128層技術彎道超越。

4、DRAM領域：當前中國全面落后于國際頭部企業。

封測環節（占成本30%）

1、中國集成電路封測水平居全球領先水平，已完全實現國產替代。

2、存儲器芯片封測行業屬于勞動密集型、技術密集型企業。

3、封測水平反向推動產業鏈中游芯片制造業的發展。

產業鏈下游分析

三大主流存儲器芯片近年來下游市場規模逐年擴大，旺盛的下游需求推動存儲器芯片行業的發展。

電子整機搭載內存容量不斷擴大

?PC市場：需求從裝機標配4GB過渡到了8GB、16GB甚至是32GB，市場需求量進一步擴大。

?移動端：以智能手機為主要代表的移動端以內存容量作為產品屬性提升的空間，當手機內存的標配從1GB、2GB轉變到6GB、8GB時，其對DRAM的需求量也有了極大的增長，再加上智能手機的快速普及與其巨大的市場保有量，搶占了一大部分DRAM資源。

SSD和智能手機市場NAND Flash需求的增長已經彌補了其他消費類電子市場需求的相對平淡。

?智能手機：2019年全球智能型手機出貨14.9億臺，蘋果、三星、華為、OPPO、vivo等頭部智能手機品牌旗艦機紛紛以64GB、128GB、256GB為主打容量，再加上平板、車載、智能盒子等細分市場需求eMMC/eMCP等嵌入式產品消耗了42%的NAND Flash產能。

?SSD市場：數據中心、服務器等領域對數據分析、處理、響應速度的要求不斷提高，谷歌、Facebook、百度、阿里巴巴、騰訊、華為等對SSD需求強勁。消費類市場，超極本、二合一等輕薄筆記本對SSD搭載率不斷增加，去年消費類市場SSD出貨超1.5億臺，再疊加工業、金融、車載等領域SSD需求，全球SSD共消耗近50%NAND Flash產能

NOR Flash下游需求中，除了傳統電腦、智慧型手機、網路通訊與消費性電子產品外，近年來最新且成長最大的需求在于智慧型手機的AMOLED屏幕，及LCD驅動IC和TDDI(Touch Display Driver IC)方案。

?智能手機：智能手機的AMOLED屏幕需要大量消耗NOR Flash顆粒

?隨著物聯網、可穿戴設備、智慧城市、智慧應用、智能家居、智能汽車、無人機等廠商使用NOR Flash作為儲存裝置和微控制器搭配開發，NOR Flash需求將呈現爆發性增長。

市場規模

存儲器芯片應用廣泛，隨著5G、物聯網技術為中國半導體行業發展賦能，未來市場規模將進一步擴大。

近五年來，受PC及移動端電子設備內存容量不斷擴大，以TWS為代表的可穿戴設備新型消費級市場快速擴張，以及大數據云計算技術不斷釋放對企業級存儲的需求等多方因素的影響，中國存儲器芯片行業整體不斷發展，市場規模（以銷售額計）從2014年的45.2億美元增長到了2019年123.8億美元，年復合增長率高達28.6%。

由于當前存儲器芯片應用廣泛，同時下游消費電子市場份額逐年擴大，且未來5G及物聯網技術將進一步為中國存儲器芯片的整體發展賦能，預計未來中國存儲器芯片還將繼續保持穩定增長的態勢。到2024年，中國存儲器芯片市場份額有望突破522.6億美元，占全球市場的14%。

市場規模預測邏輯

中國電子整機制造業反向驅動上游存儲器芯片發展，中國存儲器芯片市場增速高于全球增速。

儲存器

中國存儲器芯片行業驅動因素

國產替代大環境助推

中國存儲器芯片廠商有天然地緣優勢，未來對進口的依賴將會進一步減弱，國產替代率將進一步提高。

存儲器芯片國產替代率逐漸提高

近十年來，中國電子工業占全球的比重持續增加，全球80%的電子整機制造在中國大陸完成。受制于中國相對落后的半導體水平，中國集成電路進口持續維持高位。過去五年來，中國集成電路進口數量始終維持上漲的趨勢。2018年，中國集成電路進口金額與進口數量分別高達3,120.6億美元，4,175.7億只。受制于中國集成電路行業起步較晚，行業技術水平整體落后于西方發達國家，短時間內集成電路進口數量與進口金額仍將維持高位。

美國限制對中國的科技技術出口，長期將加速半導體國產化進程。目前，中國在生產代工、設備、存儲器、計算、模擬及數模轉換芯片、射頻前端、EDA軟件等領域缺口較大，存在進口替代機會。

存儲器芯片品牌化程度較弱

存儲器芯片產品具有典型的大宗商品屬性，差異化競爭較小，不同企業生產的產品技術指標基本相同，標準化程度較高，因此品牌化程度較弱，用戶粘性低。

從電子整機下游消費者角度考量：消費者通常只會考慮存儲芯片的容量，如手機存儲量是64G還是128G，對存儲器芯片品牌不會有過多關注。

從存儲器芯片廠角度考量：行業壁壘高，頭部企業通常體量大、投資高、規模龐大，下游整機廠在選配存儲器芯片時，在產品性能、物理屬性等技術性能接近的情況下，報價通常作為第一考量因素。

從電子整機廠角度考量：尤其是消費類電子整機出貨量通常以億為計量單位，存儲器芯片作為核心存儲硬件單元，需求量與其倍數相關，巨量需求下，性價比直接決定品牌的市場份額。因此，對于存儲器芯片行業，只要技術參數上達到產品需求，不同品牌的可替代率很高，這為中國存儲器芯片品牌的發展提供了彎道超車的可能。

物聯網技術的發展

物聯網技術的發展使得設備的網絡接入量與整體數據存儲量呈現爆發式增長，直接拉動存儲器芯片行業的發展。

物聯網是NOR Flash發展的核心推動力

物聯網技術的發展使近年來NOR Flash呈現市場復蘇。通常，物聯網接入設備的系統與手機、計算機等相比更簡單，處理數據更少，對存儲空間的要求較少，一般在幾兆到幾百兆之間。此時物聯網接入設備采用NOR Flash替代傳統計算機、手機等設備以DRAM和NAND Flash為核心的內存處理方案是性價比最高的選擇，這使得物聯網技術賦能的新設備仍能維持在當前價格水平，逐漸提高在整體產品市場的滲透率。

物聯網技術發展對存儲器芯片行業推動作用

物聯網將更多常見設備接入互聯網，如冰箱、空調、洗衣機、電視等。

移動端電子產品及可穿戴設備市場規模的不斷增大。

存儲空間增大提升單顆芯片售價。

物聯網、云計算等新增應用疊加5G基建產生巨量數據，需要更強算力更大存儲量服務器支持。

物聯網技術賦予電子產品更強功能，需要更大內存空間支持。

儲存器

中國存儲器芯片行業風險因素分析

如現階段全球疫情得不到有效控制，下游整機產能下降，勢必對上游存儲芯片行業造成產能難以爬坡與庫存周期延長的負面影響。

“黑天鵝”影響全年消費

2020年一季度是電子消費產品發布新品旺季，在“新冠疫情”與“全球油價下跌”兩只黑天鵝沖擊下，2月中國制造業PMI降至35.7%，為近十五年來最低。因電子產品產業鏈覆蓋面廣，參與者眾多，受不同環節、不同零部件復工復產進度不均的影響，大部分電子整機OEM廠年后產量爬坡受阻，以代工廠富士康為例，大陸生產受阻致使其母公司營收環比下降40%，創下八年新低。

消費電子終端市場新品上市后產能供應不足，且市場消費信心不足。據中國信息通信研究院數據，2月中國手機市場總出貨量638.4萬部，同比下降56%，國產品牌手機出貨量1,310.8萬部，同比下降14.7%，5G手機238萬部，占比37.3%，包括華為、小米、OPPO、vivo等品牌廠均受到了不同程度的影響，且未來幾個月還將受到海外“疫情”的影響。

整機廠產能下降對上游半導體行業景氣程度產生消極影響

受疫情影響，各地節后復工情況步調不一致，整機廠面臨一系列疫情帶來的制約因素：

?供應鏈上下游延遲復工，或將延期投產；

?物流速度降低，甚至可能出現停運；

?產品入關檢查的時間和財務成本或增加，為海外銷售帶來更高挑戰。

全球20%晶圓代工產能落地中國，其主要原因是靠近下游客戶。雖然中國消費電子產品全鏈條制造資源的豐富和完善程度全球領先，仍需警惕整機廠行業寒冬期對產業鏈的沖擊。

“新冠疫情”本年度對存儲器芯片產業影響

全球電子產品市場消費信心下降

韓國受疫情影響較重，存儲器芯片出貨量或將受

到影響歐美日受疫情影響嚴重，半導體材料及設備供應受到影響

制造業三大周期：產品周期、資本開支/產能周期、庫存周期。產品周期是所有周期的根本，也是最長的周期。

在存儲芯片領域，產品周期代表的是最核心最根本的影響因素，即下游需求驅動力。如PC、手機、TWS耳機是半導體行業發展過程中的產品周期，手機周期也根據技術迭代帶來的產品周期進一步細分為3G、4G、5G。

1、如疫情得不到有效控制，下游整機產能下降，勢必對上游存儲芯片行業造成產能難以爬坡與庫存周期延長的負面影響。

2、同時，存儲芯片如未能在二季度實現產能順利爬坡，也會造成庫存周轉困難，影響產品周期健康有序向上發展的勢頭。

儲存器

中國存儲器芯片行業相關政策法規

存儲器芯片作為重要的分立器件細分應用領域，其行業的穩定發展與中國分立器件的整體發展密切相關。

集成電路在電子信息產業的地位促使國家近二十年來不斷出臺政策鼓勵行業發展，其中最直接的政策是2011年《國務院關于印發進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展若干政策的通知》中明確對IC設計和軟件企業實施所得稅“兩免三減半”優惠政策，該政策一直延續至今。2019年5月22日，財政部、稅務總局發布公告，為支持IC設計和軟件產業發展，依法成立且符合條件的IC設計企業和軟件企業，在2018年12月31日前自獲利年度起計算優惠期，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照25％的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止。此前，國常會就決定延續集成電路企業所得稅優惠政策，會議決定，在已對集成電路生產企業或項目按規定的不同條件分別實行企業所得稅“兩免三減半”或“五免五減半”的基礎上，繼續實施2011年明確的所得稅“兩免三減半”優惠政策。

儲存器

中國存儲器芯片行業發展趨勢

存儲芯片迎來黃金發展期

全球存儲器市場從去年的供過于求演變到下半年及明年的供不應求，存儲芯片價格上漲將超10%。

5G手機增加存儲器用量

未來幾年全球5G手機激活市場會從2019年的近1,000萬臺，爆增到2020年的1.6-2.0億及2021年的4.0-5.0億臺，而每臺5G手機都需配備8GB或以上的mobile DRAM及128-256GB的NAND閃存。

與4G手機配備64-128GB的NAND Flash相比，預計手機用NAND Flash于2020-2021年增長率超30％。

云服務器市場需求量的復蘇

受疫情影響，春節期間云端服務器客戶量急劇上漲。在線醫療、在線娛樂、在線教育、在線買菜等云業務的普及使得服務器數量及服務器內存用量急劇增長。

近年來，云端服務器用戶大幅增長，服務器用DRAM占整體DRAM用量比例逐年上漲。由于英特爾在推出14nm++ Cooper Lake及10nm+ Ice Lake CPU數據通路自6拓展為8，數據處理效率更高，可以搭載更多內存單元，服務器內存芯片的用量將顯著增加，據專家預測，2021年服務器用DRAM芯片用量占整體DRAM用量比例將達38%。

中國存儲芯片國產替代還有較大的發展空間

全球內存及閃存產品在國際競爭市場上，基本均被韓國、日本、美國等國壟斷。在DRAM領域，三星、海力士及美光為行業龍頭，在NAND領域，三星、東芝、新帝，海力士以及美光、英特爾共同掌握全球話語權。

當前，中國已初步完成在存儲芯片領域的戰略布局，但由于中國起步晚，且受到技術封鎖，市場份額較少，距離全面國產替代還有較大的發展空間。存儲芯片良好的發展態勢將為中國在這一領域的發展提供源源不斷的需求保障。

IP創新與自主制造

存儲器的IP集中度低，面對國際技術封鎖，當前中國廠商主要通過合作授權與自主研發相結合的方式獲得IP版權。

IP創新與自主制造是存儲器芯片的兩個發展方向

對于存儲器芯片，由于存儲器芯片制程的難點在于IP和制造，頭部廠商的主流經營模式為IDM模式，受制于歐美日韓對中國半導體行業的限制，中方獲得IP的主要方式為合作授權與自主研發相結合的方式。

DRAM的IP領域

由于在DRAM領域中國廠商總體起步較晚，專利積累相對薄弱。但由于DRAM總體來說技術發展相對成熟，國際領先企業在研發領域資本投入已有所減少，這為中國廠商繼續提高資本投入已實現國產替代提供了良好的機會。在此基礎上中國廠商加快IP自主研發，降低成本的同時提高產品性能，從而在議價能力及定價彈性達到國際領先水平。

NAND FLASH的IP領域

NAND Flash的IP方面，3D NAND Flash堆疊技術自2D平面技術升級而來，由于3D堆疊技術為近年來出現的新技術，中國頭部企業長江存儲與國際大廠的技術差距相對較小。但在IP儲備領域，中國廠商仍處于弱勢地位，三星、東芝、閃迪、海力士等存儲器芯片巨頭廠商仍具有壓倒性優勢。

制造領域

在半導體產業向中國轉移的大趨勢下，國際大廠紛紛在大陸地區設廠或增大中國大陸建廠規模。據SEMI數據顯示，近四年來全球投產晶圓廠超60座，其中26座位于中國大陸，占全球晶圓廠比例超40%。

制造業是集成電路的核心環節，制造環節向大陸的遷移直接促進中國存儲器芯片產業的發展。隨著大量晶圓廠在中國的建成，中國存儲器芯片將迎來先進制程技術的突破與成熟。

儲存器

中國存儲器芯片行業競爭格局

當前中國基本實現NOR Flash芯片的進口替代，但在DRAM、NAND Flash芯片領域，仍與國際領先水平有不小差距。

中國存儲器芯片行業國產替代潛力大

全球存儲器芯片市場規模大且競爭激烈，當前中國已基本實現NOR Flash芯片的進口替代，但在DRAM、NAND Flash芯片領先制程領域，仍與國際領先水平有不小差距。

DRAM發展道阻且長

中國大陸是全球DRAM最大市場，但自給率幾乎為0。現階段，半導體產業中心已轉移到中國大陸，中國大陸已是全球最大和增速最快的市場，但大陸半導體產業起步晚，自給率僅為15%左右。DRAM作為半導體和存儲器最大細分市場，2018年占據全球半導體和存儲器總產值的比例分別為22%和58%，中國大陸作為最大市場，銷售額全球占比約為43%，但幾乎完全依賴進口，自制率遠低于半導體全行業水平。

NAND Flash發展初步取得成果

三星、海力士、東芝、西部數據、美光、英特爾等巨頭在產能上持續投入。2018年，64層、72層的3D NAND閃存已成業界主力產品，2019年開始量產92層、96層的產品，到2020年，大廠們即將進入128層3D NAND閃存的量產。長江存儲64層三維閃存產品的量產有望使中國存儲芯片自產率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲的64層3D NAND閃存量產消息別具意義。

儲存器

中國存儲器芯片行業投資企業推薦

武漢新芯

武漢新芯為存儲器芯片龍頭企業，專注于NOR Flash與晶圓級XtackingTM技術，是紫光集團旗下核心企業。

主營業務

武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），于2006年在武漢成立，是一家領先的集成電路研發與制造企業。

專注于NOR Flash與晶圓級XtackingTM技術，致力于為全球客戶提供高品質的創新產品及技術服務。

作為紫光集團旗下核心企業，武漢新芯將整合集團和產業鏈合作伙伴的資源，并充分利用自身優勢，努力為其全球客戶提供高性能、高可靠性、低功耗、高性價比的產品和解決方案。

公司產品

?NOR FALSH代工

武漢新芯自2008年開始向客戶提供專業的300MM晶圓代工服務，在NOR Flash領域已經積累了十多年的制造經驗，是中國乃至世界領先的NOR Flash晶圓制造商之一。

?XtackingTM

武漢新芯自主研發、國際先進的晶圓級三維集成技術平臺XtackingTM。公司是國內首家采用硅通孔技術（TSV）來生產圖像傳感器的制造商，已積累了多年的大規模量產經驗，產品集高性能、低功耗、高集成度的優點于一體，廣泛應用于中國智能手機市場。

投資亮點

技術領先

XtackingTM技術平臺已推出硅通孔技術（TSV）、混合鍵合（ Hybrid Bonding）和多片晶圓堆疊技術（Multi-Wafer Stacking），為客戶提供極具靈活性和創新性的晶圓級三維集成技術解決方案。

質量可靠

武漢新芯一直嚴格遵守質量管控和環境、安全、健康管理體系，并獲得如汽車行業質量管理體系IATF16949、質量管理體系ISO9001等國際體系認證。

戰略定位

進口替代

武漢新芯建設的12英寸芯片項目在2008年正式投產，產品良率達到世界領先水平，結束了中國中部無“芯”的歷史。在NOR Flash領域，武漢新芯達到世界領先水平。

IDM

2017年武漢新芯開始聚焦IDM發展戰略，發布了集產品設計、晶圓制造與產品銷售于一體的自主品牌，致力于開發高性價比的SPI NOR Flash產品

長江存儲

長江存儲是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司，致力于成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。

企業概況

長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”），總部位于武漢，是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作伙伴供應3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

投資亮點

長江存儲進入到3D FLASH領域之前，中國一直沒有大規模存儲芯片的生產，未來，隨著云計算、大數據的發展，人類對數據存儲要求是越來越高，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域，其量產也標志著中國離國際先進水平又大大跨近一步，把中國產品水平跟海外的先進水平縮短到了一代。

主營業務

長江存儲專注于3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

領先產品

?2017年10月，長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存

?2019年9月，搭載長江存儲自主創新Xtacking架構的64層TLC 3D NAND閃存正式量產

?目前，長江存儲正跨越96層制程彎道追趕國際領先128層制程

發展戰略

?長江存儲實行縱向一體化的經營模式，具備識別客戶需求、進行產品設計、準備原輔材料、封測、銷售及持續服務全產業鏈經營能力。

可基于客戶需求實現定制化芯片制造

長江存儲64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高存儲密度。

?創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。

長鑫存儲

長鑫存儲專業從事DRAM存儲器芯片的研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。

企業簡介

合肥長鑫存儲技術有限公司（以下簡稱“長鑫存儲”），事業開始于2016年。長鑫存儲專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。DRAM產品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、人工智能、虛擬現實和物聯網等領域，市場需求巨大并持續增長

產品介紹

長鑫存儲的8Gb LPDDR4規格的DRAM芯片已經投片，相較于上一代DDR3內存芯片,DDR4內存芯片擁有更快的數據傳輸速率、更穩定的性能和更低的能耗。長鑫存儲自主研發的DDR4內存芯片滿足市場主流需求，可應用于PC、筆記本電腦、服務器、消費電子類產品等領域。

高速數據傳輸

多領域應用支持

可靠性保障

主流市場需求匹配

多產品組合

戰略定位

12寸晶圓制造

母公司兆易創新宣布與合肥市產業投資控股集團簽署合作協議，以長鑫存儲為載體研發19納米制程的12寸晶圓DRAM，總預算為人民幣180億元。

國產替代

預計將在全球DRAM市場占得約8%的市場份額

填補國產DRAM存儲器在本國市場的空白

投資亮點

自主研發

長鑫存儲聚集了集成電路行業的領袖，研發、設計及制造的專家，以及國際化的經營管理團隊，不斷創新，積極培養本地優秀人才，是具有尖端技術開發能力和工藝制造能力的“中國創造”模范企業。

技術領先

長鑫存儲也是全球第四家DRAM產品采用20納米以下工藝的廠商。另外三家是目前DRAM存儲的三大巨頭，三星、SK海力士、美光。這三家的DRAM全球市占率超過95%。

參考文獻來自：頭豹、馭勢資本研究所

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